[发明专利]用于生产蓝宝石图形衬底的分选方法有效
| 申请号： | 201410126845.5 | 申请日： | 2014-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN103871939B | 公开（公告）日： | 2017-07-14 |
| 发明（设计）人： | 陈起伟;魏臻;孙智江;施荣华 | 申请（专利权）人： | 海迪科(苏州)光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/66 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215131 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于生产蓝宝石图形衬底的分选方法，包括如下步骤S1调整光致发光设备的参数，对蓝宝石图形衬底外延层进行光激励测试，由外延层图形化表面的微观结构所反射回的光进行反射率测算；S2对所述的微观结构的尺寸测量得到尺寸值；S3建立反射率与尺寸值间的对应关系；S4将待分选晶圆整批导入到光致发光设备中令设备自动运行；S5将微观结构的反射率实时通过对应关系输出为尺寸值，并依据结果进行晶圆分选。由于采用了以上技术方案，使得在蓝宝石图形化衬底领域可以将图形化结构的检测步骤得以简化，提高了生产效率，降低了生产成本，易于实现大规模批量生产。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 生产 蓝宝石 图形 衬底 分选 方法 | ||
【主权项】：
一种用于生产蓝宝石图形衬底的分选方法，其特征在于，包括如下步骤：S1：调整光致发光设备的参数，对蓝宝石图形衬底外延层进行光激励测试，由外延层图形化表面的微观结构所反射回的光进行反射率测算；S2：对所述的微观结构的尺寸测量得到尺寸值；S3：建立反射率与尺寸值间的对应关系；S4：将待分选晶圆整批导入到光致发光设备中令设备自动运行；S5：将微观结构的反射率实时通过对应关系输出为尺寸值，并依据结果进行晶圆分选。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
