[发明专利]用于硅通孔制作的对准结构及硅通孔的制作方法

摘要

本申请提供了一种用于硅通孔制作的对准结构及硅通孔的制作方法。该对准结构包括：衬底；位于衬底上且具有凹槽的层间介质层；沿凹槽的内壁设置的金属层；设置在金属层上的氮化层；以及设置在氮化层上的介电隔离层，其中，介电隔离层的上表面低于层间介质层的上表面。由于介电隔离层的上表面低于层间介质层的上表面，也就是说在对准结构的凹槽中存在凹陷部，因此由于该凹陷部的存在，进而在利用该对准结构进行对准时，利用其表面不平整的特点可以快速定位，而且提高了所形成的硅通孔的对准程度。

主权项

1.一种硅通孔的制作方法，包括：步骤S1，提供芯片，所述芯片具有衬底和位于所述衬底上的半导体前道工艺结构；步骤S2，在所述芯片上制作对准结构和第一硅通孔；步骤S3，利用所述对准结构使所述第一硅通孔与硅通孔掩模开口对准，以进行所述硅通孔的制作，其特征在于，所述对准结构包括：衬底；层间介质层，位于所述衬底上且具有凹槽；金属层，沿所述凹槽的内壁设置；氮化层，设置在所述金属层上；介电隔离层，设置在所述氮化层上，其特征在于，所述介电隔离层的上表面低于所述层间介质层的上表面，所述半导体前道工艺结构包括栅极结构，所述步骤S2包括：在所述衬底的具有所述栅极结构的表面上依次设置层间介质层、第一介电层和牺牲层；依次刻蚀所述牺牲层、所述第一介电层和所述层间介质层，形成所述对准结构的凹槽和位于所述栅极结构上方的导电沟槽；在所述凹槽和所述导电沟槽内对应形成金属层和接触孔；在所述金属层和所述牺牲层上形成氮化层；依次刻蚀所述氮化层、所述牺牲层、所述第一介电层、所述层间介质层和所述衬底，形成第一硅孔；在所述第一硅孔的内壁和所述氮化层上形成介电隔离层；在所述第一硅孔内的介电隔离层上形成导电层；回蚀部分所述介电隔离层，至所述第一硅孔中的介电隔离层的上表面在所述第一介电层的上表面所在平面；回蚀至少部分所述氮化层，至所述凹槽内的氮化层的上表面在所述第一介电层的上表面所在平面；以及平坦化所述牺牲层、所述第一介电层、所述氮化层、所述介电隔离层和所述导电层至所述层间介质层的上表面所在平面，形成所述第一硅通孔和所述对准结构的所述金属层、所述氮化层和所述介电隔离层。