[发明专利]等离子体刻蚀装置的腔体清洗方法有效
| 申请号： | 201410127005.0 | 申请日： | 2014-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN103962353A | 公开（公告）日： | 2014-08-06 |
| 发明（设计）人： | 许进;段智公;任昱;吕煜坤 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | B08B9/08 | 分类号： | B08B9/08 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;陈慧弘 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种等离子体刻蚀装置的腔体清洗方法，所述等离子体刻蚀装置包括反应腔体、进气单元和抽气单元。所述腔体清洗方法包括：通入第一工艺气体冲洗所述进气单元，使所述进气单元内壁至少部分的反应副产物剥落；通入第二工艺气体并形成所述第二工艺气体的等离子体，与所述剥落的反应副产物及所述反应腔体内壁的反应副产物反应以清洗所述反应腔体的内壁；以及增加所述第二工艺气体的压力，使所述第二工艺气体的等离子体与所述进气单元内未剥落的所述反应副产物反应以清洗所述进气单元的内壁。本发明能够有效减小进气单元残留物沉积掉落造成晶圆中心团聚缺陷的风险。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 刻蚀 装置 清洗 方法 | ||
【主权项】：
一种等离子体刻蚀装置的腔体清洗方法，所述等离子体刻蚀装置包括反应腔体、进气单元和抽气单元，所述腔体清洗方法包括：步骤1：通入第一工艺气体冲洗所述进气单元，使所述进气单元内壁至少部分的反应副产物剥落；步骤2：通入第二工艺气体并形成所述第二工艺气体的等离子体，使所述第二工艺气体的等离子体与所述剥落的反应副产物及所述反应腔体内壁的反应副产物反应以清洗所述反应腔体的内壁；以及步骤3：增加所述第二工艺气体的压力，使所述第二工艺气体的等离子体与所述进气单元内未剥落的所述反应副产物反应以清洗所述进气单元的内壁。
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