[发明专利]具有积累效应的场效应晶体管及其生产方法

摘要

本发明公开了一种具有积累效应的场效应晶体管及其生产方法，其将承担反压的空间电荷区从单一的垂直方向改变为垂直与水平两个方向，在承受反压时，利用沟槽间有效距离形成全部空乏区，实现可承受较高反压的结构。缩小外延层的厚度，同时可增加外延浓度，降低外延电阻率，保证在较薄的外延层情况下能够承担较高反压，并实现导通时较低的内阻。在沟槽底部通过注入硼离子以形成-P型区域，加上沟槽底部的厚氧化层，既保证承担反压，又可大幅提高MOS管的开关速度。利用了壁垒累积效应，在栅极加电压时沟槽外壁聚集自由电荷，形成一层高浓度的导电通道，电流经此通道导通，不须经过电阻较高的外延层，从而进一步降低了导通时的内阻。

主权项

具有积累效应的场效应晶体管的生产方法，其特征是包括如下步骤：（1）对晶体预扩散，使得下部浓度相对高的衬底层向上部浓度相对低的外延层扩散，并在衬底层和外延层之间形成n+层；（2）在晶体上制作沟槽，并在晶体的沟槽内生长二氧化硅氧化层；（3）在晶体的沟槽中沉积金属或多晶硅作为良导体；（4）刻蚀晶体表面的氧化层；（5）对晶体注入硼离子并进行扩散推结，在外延层上部的沟槽外侧部分形成P‑Body区域；（6）对晶体注入磷离子并进行扩散推结，在P‑Body区域的上方形成N+源区域；（7）在晶体的上表面沉积BPSG硼磷硅玻璃以保护栅极；（8）在晶体的上部光刻出接触孔；（9）在接触孔的底部注入硼离子，形成P+区域；（10）在接触孔中填充金属塞；（11）对晶体上表面进行金属化操作，在晶体的上表面镀上铝或铝硅铜等金属薄膜；（12）对晶体背面进行减薄和背面金属化操作，在晶体的背面制作出漏极。