[发明专利]一种完成BGA封装之后的晶圆的切割分粒方法在审
申请号: | 201410127847.6 | 申请日: | 2014-04-01 |
公开(公告)号: | CN103887238A | 公开(公告)日: | 2014-06-25 |
发明(设计)人: | 赖芳奇;吕军 | 申请(专利权)人: | 惠州硕贝德无线科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;B23K26/38 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人: | 任海燕;常跃英 |
地址: | 516003 广东省惠州*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种完成BGA封装之后的图像晶圆的切割分粒方法,包括步骤:首先将晶圆级封装工艺之后的晶圆玻璃面贴附在UV胶带上,采用激光将球栅阵列面的有机材料保护层、硅层、晶圆内部结构层、有机材料围堰层等沿切割道切开后只剩下玻璃层,接着用激光切割玻璃层,最后用扩片设备进行扩片处理,使每个芯片被分粒,完成整个激光切割过程。此加工方法切开芯片上的有机材料保护层,LowK介电材料,硅结构层,有机材料围堰层等材料时,过程中无外界应力作用,不会产生崩边,微损失,分层等切割问题,能有效保证芯片的切割分粒品质,对芯片的切割品质提升有很大的帮助。 | ||
搜索关键词: | 一种 完成 bga 封装 之后 切割 方法 | ||
【主权项】:
一种完成BGA封装之后的晶圆的切割分粒方法,所述BGA封装之后的晶圆的球栅阵列面上有切割道,另一面为玻璃层,其特征在于,包括步骤:(1)利用激光沿着球栅阵列面上的切割道进行切割,切割深度达玻璃层的内表面,形成一沟槽;(2)透过步骤(1)形成的沟槽将所述的晶圆的玻璃层再次进行激光切割,打断玻璃层内部的分子链;(3)将切割好的晶圆进行扩片处理,使每颗芯片完成最后分粒。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于惠州硕贝德无线科技股份有限公司,未经惠州硕贝德无线科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410127847.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:播放装置
- 下一篇:虚拟桌面场景下视频重定向的方法、桌面服务器和系统
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造