[发明专利]一种SiC晶体单色器在审
| 申请号： | 201410128679.2 | 申请日： | 2014-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN103940837A | 公开（公告）日： | 2014-07-23 |
| 发明（设计）人： | 孙伟;陈小龙;甘弟;宋有庭;王文军 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | G01N23/20 | 分类号： | G01N23/20 |
| 代理公司： | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 | 代理人： | 胡剑辉 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种用于高分辨X射线衍射仪的SiC双晶或者四晶单色器。以6H-SiC单晶(0006)晶面（Si面或者C面）或者4H-SiC单晶(0004)晶面（Si面或者C面）作为衍射面，通过一块U形结构晶体（U形结构晶体的内壁作为两个衍射面）的两次或者四次衍射，分别构成SiC-双晶或者四晶单色器；或者通过两块U形结构晶体的四次衍射，或通过两个或者四个独立晶片的两次或者四次反射，构成SiC-双晶或者四晶单色器，从而获得仅含有Cu Kα1的衍射线。与Ge(220)双晶或者四晶单色器相比，包含6H-SiC(0006)或者4H-SiC(0004)的双晶，四晶单色器对Cu Kα1的分辨率以及衍射效率均显著提高，可增加单色器的衍射强度，缩短高分辨X射线衍射仪的分析、测试时间。此单色器也适用于Fe靶、Co靶的X射线光源的单色化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sic 晶体 单色 | ||
【主权项】：
一种高分辨X射线衍射仪晶体单色器，所述晶体单色器包含两个6H‑SiC或者4H‑SiC晶片，两个晶片呈平行排列构成一个二晶单色器；或者所述晶体单色器包含一个U形结构的6H‑SiC或者4H‑SiC晶片，所述U形结构的侧壁作为两个反射面，构成一个二晶单色器。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院物理研究所，未经中国科学院物理研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410128679.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：废清洗溶剂回收装置
- 下一篇：基于随机观测投影和稀疏表示的SAR图像分类
