[发明专利]去除光刻胶的后处理方法及互连层结构的制作方法有效
| 申请号： | 201410129087.2 | 申请日： | 2014-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN104952721B | 公开（公告）日： | 2018-03-23 |
| 发明（设计）人： | 刘焕新 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 | 代理人： | 吴贵明,张永明 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种去除光刻胶的后处理方法及互连层结构的制作方法。其中，去除光刻胶的后处理方法中，光刻胶是采用NMP溶液刻蚀去除，该后处理方法包括采用臭氧水对去除光刻胶后的半导体器件进行第一次清洗；采用去离子水对第一次清洗后的半导体器件进行第二次清洗。该后处理方法首先通过臭氧水的氧化分解作用剥离半导体器件表面上的有机物残留及其所衍生的残留缺陷，然后再利用去离子水清洗剥离掉的有机物残留及其所衍生的残留缺陷，从而去除了半导体器件表面上的有机物残留及其所衍生的残留缺陷，以提高半导体的稳定性能。 | ||
| 搜索关键词： | 去除 光刻 处理 方法 互连 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
一种去除光刻胶的后处理方法，所述光刻胶是采用NMP溶液刻蚀去除，其特征在于，所述后处理方法包括：采用臭氧水对去除所述光刻胶后的半导体器件进行第一次清洗；以及采用去离子水对所述第一次清洗后的所述半导体器件进行第二次清洗；所述臭氧水中O3的含量为40～80ppm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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