[发明专利]多层半导体封装有效

专利信息
申请号: 201410129154.0 申请日: 2014-04-01
公开(公告)号: CN104103617B 公开(公告)日: 2018-01-26
发明(设计)人: R·奥特雷姆巴;J·赫格劳尔;K·希斯;钟蔡梅 申请(专利权)人: 英飞凌科技奥地利有限公司
主分类号: H01L23/49 分类号: H01L23/49
代理公司: 北京市金杜律师事务所11256 代理人: 王茂华
地址: 奥地利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及一种多层半导体封装。半导体封装包括半导体裸片,具有在第一侧的第一电极和相对第一侧的、在第二侧处的第二电极;第一引线,在半导体裸片下,并且连接到在封装的第一层处连接到的第一电极;以及第二引线,具有大于第一引线的高度并且在封装中的第一层之上的第二层处终止,该第二层对应于半导体裸片的高度。在半导体裸片和第二引线之上的单个连续平面结构的连接器在封装的相同的第二层处连接到第二电极和第二引线。
搜索关键词: 多层 半导体 封装
【主权项】:
一种半导体封装,包括:第一半导体裸片,具有上侧和下侧;第二半导体裸片,在所述第一半导体裸片之上,并且所述第二半导体裸片具有背离所述第一半导体裸片的上侧和与所述第一半导体裸片的所述上侧面对的下侧;在所述第一半导体裸片上侧的电极,在所述第一半导体裸片和所述第二半导体裸片之间连接到在所述第二半导体裸片的所述下侧的电极;第一引线,在所述第一半导体裸片之下,并且所述第一引线在所述封装的第一层处连接到在所述第一半导体裸片的所述下侧处的电极;第二引线,具有大于所述第一引线的高度,并且在所述封装中在所述第一层之上的第二层处终止,所述第二层对应于所述第二半导体裸片的高度;以及单个连续平面结构的连接器,在所述第二半导体裸片和所述第二引线之上,所述连接器在相同的所述第二层处连接到在所述第二半导体裸片的所述上侧的电极和所述第二引线两者。
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