[发明专利]对准标记及其对准方法有效
| 申请号： | 201410130687.0 | 申请日： | 2014-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN104952851B | 公开（公告）日： | 2017-11-14 |
| 发明（设计）人： | 舒强 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 屈蘅,李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭露了一种对准标记及其对准方法，所述对准标记包括一组形成于半导体衬底上的主标记，所述主标记由N组子标记组成，所述N组子标记形成于衬底上N层膜层中，N为该次光刻工艺需要对准的层数；每组所述子标记包括水平方向的第一子标记和竖直方向的第二子标记；所述第一子标记为水平方向上的两组光栅，所述第二子标记为竖直方向上的两组光栅。这样在对准时可以与多层对准，提高光刻精度和器件良率。 | ||
| 搜索关键词： | 对准 标记 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种对准标记，用于光刻工艺的对准，所述对准标记包括一组形成于半导体衬底上的主标记，所述主标记包括沿第一方向的第一主标记和沿第二方向的第二主标记，所述第一方向和第二方向垂直，其特征在于，所述第一主标记包括N组第一子标记，所述第一子标记为光栅结构，所述N组第一子标记在第二方向组合排列；所述第二主标记包括N组第二子标记，所述第二子标记为光栅结构，所述N组第二子标记在第一方向组合排列；所述N为该次光刻工艺需要对准的膜层的数量；所述需要对准的膜层中皆形成有一组第一子标记和第二子标记。
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