[发明专利]OLED阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置有效
申请号: | 201410130815.1 | 申请日: | 2014-04-02 |
公开(公告)号: | CN103915453A | 公开(公告)日: | 2014-07-09 |
发明(设计)人: | 刘海;蒋卡恩;姚红莉;刘刚;姚宇环 | 申请(专利权)人: | 上海天马有机发光显示技术有限公司;天马微电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;H01L27/32 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 刘松 |
地址: | 201201 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种OLED阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置,主要内容为:该OLED阵列基板包含有多个OLED像素单元,且任一OLED像素单元包括:第一电极,第二电极,以及位于第一电极与所述第二电极之间的发光结构层;其中,第一电极包括:位于底层的金属单质膜层、位于金属单质膜层之上的合金膜层、以及位于合金膜层之上的ITO膜层,合金膜层为金属单质与汞以设定质量比例混合而成的合金所形成的膜层。从而,避免了硫化银的产生,保证了较好的反射率和导电率;降低了整个反射层的ITO发生霉变的情况。 | ||
搜索关键词: | oled 阵列 及其 制备 方法 显示 面板 显示装置 | ||
【主权项】:
一种OLED阵列基板,包含有多个OLED像素单元,其中所述OLED像素单元包括:第一电极,第二电极,以及位于所述第一电极与所述第二电极之间的发光结构层;其中,所述第一电极包括:位于底层的金属单质膜层、位于金属单质膜层之上的合金膜层、以及位于合金膜层之上的ITO膜层,所述合金膜层为所述金属单质与汞以设定质量比例混合而成的合金所形成的膜层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的