[发明专利]圆形板状物的分割方法有效
申请号: | 201410131009.6 | 申请日: | 2014-04-02 |
公开(公告)号: | CN104097268B | 公开(公告)日: | 2017-06-27 |
发明(设计)人: | 广沢俊一郎 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/301 | 分类号: | H01L21/301;B28D5/00 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人: | 李辉,黄纶伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供圆形板状物的分割方法,该方法不会增加成本和工序数,能够降低由于芯片飞溅而在圆形板状物上表面上形成刮痕的可能性。在通过切削刀具(33)一边供给切削液一边对交叉的多个第一和第二分割预定线(3A、3B)以下切方式进行完全切割而将工件1分割为多个器件(2)(芯片)时,具有沿着第一分割预定线(3A)进行完全切割的第一切削步骤和沿着第二分割预定线(3B)进行完全切割的第二切削步骤,至少在第二切削步骤中,关于第二方向B的切削,在切削结束侧不切削外周缘(1c)而形成未切削区域(5a),抑制端材芯片的形成。 | ||
搜索关键词: | 圆形 板状物 分割 方法 | ||
【主权项】:
一种圆形板状物的分割方法,在该圆形板状物上设定有在第一方向上延伸的多个第一分割预定线和在与该第一方向交叉的第二方向上延伸的多个第二分割预定线,该圆形板状物具有芯片区域和包围该芯片区域的外周剩余区域,所述芯片区域具有通过该第一分割预定线和该第二分割预定线而被划分的多个芯片,所述圆形板状物的分割方法的特征在于,具有:第一切削步骤,沿着所述第一分割预定线,利用切削刀具在厚度方向上完全切断所述圆形板状物;以及第二切削步骤,在实施了该第一切削步骤之后,沿着所述第二分割预定线,利用所述切削刀具在厚度方向上完全切断所述圆形板状物,所述切削刀具的旋转方向被设定为所述切削刀具从上表面朝向下表面切削所述圆形板状物的方向,并且一边对该切削刀具供给切削液一边执行所述第一切削步骤和所述第二切削步骤,至少在所述第二切削步骤中,使所述切削刀具从所述第二方向的所述圆形板状物的外周缘的外侧切入,并且在切削结束侧,切削刀具不切削该圆形板状物的外周缘,形成未切削区域,所述第一切削步骤具有:第一步骤,对于位于从所述第二方向的一端到所述圆形板状物的大致中央之间的所述第一分割预定线,在所述第一方向的一端侧,使所述切削刀具从该圆形板状物的外周缘的外侧切入该圆形板状物,并且在该第一方向的另一端侧,该切削刀具不切削该圆形板状物的外周缘,在所述外周剩余区域中形成未切削区域;以及第二步骤,对于位于从所述第二方向的另一端到所述圆形板状物的大致中央之间的所述第一分割预定线,在所述第一方向的另一端侧,使所述切削刀具从该圆形板状物的外周缘的外侧切入该圆形板状物,并且在该第一方向的一端侧,该切削刀具不切削该圆形板状物的外周缘,在所述外周剩余区域中形成未切削区域,所述第二切削步骤具有:第三步骤,对于位于从所述第一方向的一端到所述圆形板状物的大致中央之间的所述第二分割预定线,在所述第二方向的一端侧,使所述切削刀具从该圆形板状物的外周缘的外侧切入该圆形板状物,朝向在所述第一切削步骤中形成的所述未切削区域进行切削,在该第二方向的另一端侧,该切削刀具不切削该圆形板状物的外周缘,在所述外周剩余区域中形成未切削区域;以及第四步骤,对于位于从所述第一方向的另一端到所述圆形板状物的大致中央之间的所述第二分割预定线,在所述第二方向的另一端侧,使所述切削刀具从该圆形板状物的外周缘的外侧切入该圆形板状物,朝向在所述第一切削步骤中形成的所述未切削区域进行切削,在该第二方向的一端侧,该切削刀具不切削该圆形板状物的外周缘,在所述外周剩余区域中形成未切削区域。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社迪思科,未经株式会社迪思科许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410131009.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造