[发明专利]半导体器件的形成方法

摘要

一种半导体器件的形成方法，包括提供衬底，所述衬底表面分别形成有第一栅极结构、第二栅极结构，所述表面、第一栅极结构表面以及第二栅极结构表面形成有第一掩膜层；刻蚀第一栅极结构两侧的衬底形成第一凹槽，且刻蚀后第一区域剩余的第一掩膜层形成紧挨第一栅极结构侧壁的第一侧墙；形成填充满第一凹槽的第一应力层；形成覆盖第一区域和第二区域的第二掩膜层；刻蚀第二栅极结构两侧的衬底形成第二凹槽，且刻蚀后第二区域剩余的第二掩膜层和第一掩膜层形成紧挨第二栅极结构侧壁的第二侧墙；形成填充满所述第二凹槽的第二应力层。本发明避免去除剩余的第一掩膜层、第二掩膜层的工艺步骤，减少刻蚀时间，从而减少半导体器件中的缺陷，提高良率。

主权项

一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供包括第一区域和第二区域的衬底，所述第一区域衬底表面形成有第一栅极结构，第二区域衬底表面形成有第二栅极结构，所述第一区域和第二区域衬底表面、第一栅极结构表面以及第二栅极结构表面形成有第一掩膜层；刻蚀去除第一栅极结构两侧部分厚度的衬底形成第一凹槽，且刻蚀后第一区域剩余的第一掩膜层形成紧挨第一栅极结构侧壁的第一侧墙；形成填充满第一凹槽的第一应力层；形成覆盖于所述第一应力层表面、第一侧墙表面、第一栅极结构表面以及第二区域第一掩膜层表面的第二掩膜层；刻蚀去除第二栅极结构两侧部分厚度的衬底形成第二凹槽，且刻蚀后第二区域剩余的第二掩膜层和第一掩膜层形成紧挨第二栅极结构侧壁的第二侧墙；采用选择性外延工艺，形成填充满所述第二凹槽的第二应力层，且第二应力层的应力层类型与第一应力层的应力类型相反。