[发明专利]晶圆的分割方法在审
| 申请号： | 201410131256.6 | 申请日： | 2014-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN104979187A | 公开（公告）日： | 2015-10-14 |
| 发明（设计）人： | 郭亮良;邱慈云;吴秉寰;刘煊杰;江博渊 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种晶圆的分割方法，包括：提供晶圆，所述晶圆包括若干芯片区域和位于相邻芯片之间的切割道区域，所述晶圆上具有介质层；刻蚀切割道区域上的介质层和部分厚度的晶圆，在介质层和晶圆中形成若干沟槽；在所述介质层上形成胶带层，所述胶带层封闭所述沟槽开口；进行膨胀工艺，将所述晶圆沿切割道区域分裂成若干芯片。本发明的分割方法通过刻蚀工艺和膨胀工艺的结合，可以在切割道宽度较小的情况下实现晶圆的分割，分割进度较高，并且分割的成本较低，相比较于激光切割工艺节省了大约28%的制作成本。 | ||
| 搜索关键词： | 分割 方法 | ||
【主权项】：
一种晶圆的分割方法，其特征在于，包括：提供晶圆，所述晶圆包括若干芯片区域和位于相邻芯片之间的切割道区域，所述晶圆上具有介质层；刻蚀切割道区域上的介质层和部分厚度的晶圆，在介质层和晶圆中形成若干沟槽；在所述介质层上形成胶带层，所述胶带层封闭所述沟槽开口；进行膨胀工艺，将所述晶圆沿切割道区域分裂成若干芯片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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