[发明专利]用于锡氧化物半导体的组合物以及形成锡氧化物半导体薄膜的方法有效
| 申请号： | 201410131298.X | 申请日： | 2014-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN104276601B | 公开（公告）日： | 2019-02-19 |
| 发明（设计）人： | 崔千基;牟然坤;金显栽;林炫秀;金是鐏;郑泰秀;林裕承 | 申请（专利权）人： | 三星显示有限公司;延世大学校产学协力团 |
| 主分类号： | C01G30/00 | 分类号： | C01G30/00;C01G19/00;C03C17/23 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人： | 王达佐;孙健生 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 根据本公开的一方面，提供了用于形成锡氧化物半导体的组合物，其包含锡前体化合物、锑前体化合物以及溶剂。还提供了形成锡氧化物半导体薄膜的方法。所述方法包括制备包括溶解在溶剂中的锡前体化合物和锑前体化合物的组合物；将所述组合物涂覆在衬底上；以及在涂覆所述组合物的衬底上进行热处理。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 氧化物 半导体 组合 以及 形成 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1.非晶锡氧化物半导体薄膜，形成所述薄膜的组合物包含：锡前体化合物，锑前体化合物，以及用于所述锡前体化合物和所述锑前体化合物的溶剂，其中所述锑前体化合物与所述锡前体化合物之间的摩尔比为0.5至0.9，以及其中所述锑前体化合物与所述锡前体化合物相对于总组合物的各自浓度为0.1M至10M。
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