[发明专利]MEMS麦克风的形成方法有效
申请号: | 201410131408.2 | 申请日: | 2014-04-02 |
公开(公告)号: | CN104980858B | 公开(公告)日: | 2019-03-29 |
发明(设计)人: | 刘国安;徐伟;刘煊杰 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H04R19/04 | 分类号: | H04R19/04;H04R31/00 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 骆苏华 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种MEMS麦克风及其形成方法。本发明在作为可动敏感薄膜的单臂梁靠近自由端区域上设置第一凸起,以减小该单臂梁与空腔内其它部件接触的几率,此外,上述第一凸起上还覆盖有绝缘层,使得即使该第一凸起与其它部件由于静电吸附接触后,静电荷不会通过可动敏感薄膜释放,因而避免了MEMS麦克风中噪声的产生。 | ||
搜索关键词: | mems 麦克风 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
1.一种MEMS麦克风的形成方法,其特征在于,包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底正面具有第一牺牲材料层,所述第一牺牲材料层表面具有第一凹槽;在所述第一凹槽的底壁及侧壁形成绝缘层;在所述绝缘层及部分区域的第一牺牲材料层上形成第一导电材料层,所述第一导电材料层用于形成可动敏感薄膜,所述可动敏感薄膜在对应第一凹槽处形成第一凸起;在所述第一牺牲材料层以及第一导电材料层上形成第二牺牲材料层,所述第二牺牲材料层至少在预定形成声音传输通道开孔的区域具有若干第二凹槽;在所述第二牺牲材料层上以及第二凹槽内形成第三牺牲材料层,所述第三牺牲材料层表面具有对应所述第二凹槽的第三凹槽;刻蚀所述第二牺牲材料层与第三牺牲材料层形成暴露所述第一导电材料层一端的第一通孔;在所述第三凹槽外的第三牺牲材料层上形成第二导电材料层,在预定形成声音传输通道开孔的区域去除所述第二导电材料层,所述第二导电材料层用于形成固定电极;在所述第二导电材料层上、第三凹槽以及第一通孔内形成钝化层,图形化所述钝化层分别形成暴露可动敏感薄膜的第二通孔、暴露固定电极的第三通孔以及若干声音传输通道开孔;至少在所述第二通孔与第三通孔底部、侧壁及通孔外的钝化层上形成第三导电材料层,以分别形成引出可动敏感薄膜和固定电极电信号的接触电极;从所述衬底的背面形成贯穿所述衬底的开口,以形成声音传输通道开口,所述声音传输通道开口与所述若干声音传输通道开孔相对;经声音传输通道开孔至少腐蚀第三牺牲材料层、第二牺牲材料层,以及第一牺牲材料层,以形成空腔释放可动敏感薄膜,所述可动敏感薄膜为单臂梁,所述单臂梁的自由端靠近端头区域具有被绝缘层覆盖的第一凸起,以隔绝空腔内壁的静电荷传输至所述单臂梁。
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