[发明专利]无氰电镀银栅多晶硅电池片及其制备方法无效
申请号: | 201410131939.1 | 申请日: | 2014-04-03 |
公开(公告)号: | CN103887349A | 公开(公告)日: | 2014-06-25 |
发明(设计)人: | 高立军;袁丹丹;熊光涌;章灵军 | 申请(专利权)人: | 苏州大学 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 刘懿 |
地址: | 215123 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种无氰电镀银栅多晶硅电池片,包括硅片及印制在硅片上的主栅和细栅导线,所述主栅和细栅导线由底部的银浆层和覆盖在银浆层上的电镀银层构成。本发明所获得的银浆与银镀层的复合层,银浆层与基体硅有非常好的结合力,银镀层平滑一致,晶粒结晶细密,电镀银层与银浆层之间的结合也较为紧密。且相比单独的银浆层,复合层仅需较小的厚度就能满足要求,因而减小了接触电阻和体电阻,有利于栅线收集和导出电流,因而有利于提高光电转换效率。 | ||
搜索关键词: | 无氰电 镀银 多晶 电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种无氰电镀银栅多晶硅电池片,其特征在于:包括硅片(1)及印制在硅片(1)上的主栅和细栅导线,所述主栅和细栅导线由底部的银浆层(2)和覆盖在银浆层(2)上的电镀银层(3)构成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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