[发明专利]互连结构的形成方法

摘要

本发明提供了一种互连结构的形成方法，包括在半导体衬底上形成金属层，在金属层上形成第一掩模层，第一掩模层内包括贯穿所述第一掩模层厚度的第一开口，在第一开口内形成第二掩模层，并在第二掩模层上形成第三掩模层，以第三掩模层刻蚀金属层，在第一金属层内形成第二开口；去除第三掩模层和第一掩模层后，以第二掩模层为掩模刻蚀金属层形成互连结构。先在半导体衬底上形成更厚的金属层，之后通过刻蚀金属层形成互连结构的技术方案，相较于现有的在介质层内形成的开口中填充金属材料，以形成互连结构的方案，可有效提高形成的金属层中的金属晶粒的尺寸，从而在通电后，减少基于金属颗粒过小而引起的电子散射现象，从而降低互连结构的电阻率。

主权项

一种互连结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成金属层；在所述金属层上形成第一掩模层，所述第一掩模层内形成有贯穿所述第一掩模层厚度的第一开口；在所述第一掩模层的第一开口中形成第二掩模层；在所述第一掩模层上形成第三掩模层，所述第三掩模层完全覆盖所述第二掩模层；以所述第三掩模层为掩模，去除第三掩模层露出的第一掩模层和部分厚度的金属层，在所述金属层内形成第二开口；去除所述第三掩模层；去除所述第一掩模层；以所述第二掩模层为掩模刻蚀所述金属层，减薄第二掩模层露出的金属层，使第二开口底部金属层去除，以在所述半导体衬底上形成互连结构。