[发明专利]一种垂直各向异性人工反铁磁耦合多层膜材料有效

专利信息
申请号: 201410133550.0 申请日: 2014-04-03
公开(公告)号: CN103956249B 公开(公告)日: 2017-06-30
发明(设计)人: 张勖;蔡建旺 申请(专利权)人: 中国科学院物理研究所
主分类号: H01F10/32 分类号: H01F10/32;H01F10/12;H01L43/10
代理公司: 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙)11390 代理人: 胡剑辉
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明的目的在于提供一种具有垂直各向异性的人工反铁磁耦合多层膜材料。本发明所述的由“CoFeB/MgO”体系组成的垂直各向异性人工反铁磁结构的多层膜材料,是通过将Mo或其他可以促进“CoFeB/MgO”体系垂直各向异性的金属作为核心非磁性层插入“MgO/CoFeB/MgO”结构的CoFeB层中,得到诸如MgO/CoFeB/Mo/CoFeB/MgO的结构,使得位于非磁性层两边的CoFeB形成具有垂直各向异性的反铁磁交换耦合;而且“MgO/CoFeB/Mo/CoFeB/MgO”体系具有良好的热稳定性,经过400℃两小时退火后仍然可以维持较强的垂直反铁磁耦合,从而应用价值得以提升,使该多层膜可作为巨磁电阻核心结构,或自旋阀或自旋双势垒垂直磁隧道结的参考层应用到器件中。
搜索关键词: 一种 垂直 各向异性 人工 反铁磁 耦合 多层 材料
【主权项】:
一种具有垂直各向异性的多层膜,其特征在于,所述多层膜为人工反铁磁结构,包括至少两层氧化物势垒层和位于每相邻两层氧化物势垒层之间的一铁磁‑非磁复合层;所述铁磁‑非磁复合层包括两层铁磁层以及位于两层铁磁层之间的一层核心非磁性层;其中核心非磁性层的厚度为1‑5nm;所述垂直各向异性的人工反铁磁结构为垂直反铁磁耦合。
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