[发明专利]一种动态实时测量细胞膜电位的方法有效
申请号: | 201410134171.3 | 申请日: | 2014-04-03 |
公开(公告)号: | CN103954659A | 公开(公告)日: | 2014-07-30 |
发明(设计)人: | 张鹏;黄辰;张毅奕;马晓华;郝跃 | 申请(专利权)人: | 西安电子科技大学 |
主分类号: | G01N27/26 | 分类号: | G01N27/26 |
代理公司: | 北京市京大律师事务所 11321 | 代理人: | 张璐;方晓明 |
地址: | 710071 陕西省西安市太白南路二号西安电子科技大*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明涉及一种动态实时测量细胞膜电位的方法,包括如下步骤:1)将从已获得的人体脐带静脉血中分离出来的细胞在体外进行培养;2)将培养后的细胞注入到微流室中继续进行培养;3)利用微注射泵在微流室中进行精确的流量控制;4)利用微流室内的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)器件测量流体表面的粘滞度,进而计算出细胞膜电位。在使用本发明测量细胞膜电位的过程中,将作为生物传感器的HEMT器件和微流室、微注射泵、储液瓶相连,在微注射泵提供动态流体环境的前提下,通过HEMT器件实时监测流体环境下的活体多细胞膜电位。 | ||
搜索关键词: | 一种 动态 实时 测量 细胞 膜电位 方法 | ||
【主权项】:
一种动态实时测量细胞膜电位的方法,所述方法包括如下步骤:1)将从已获得的人体脐带静脉血中分离出来的细胞在体外进行培养;2)将所述培养后的细胞注入到微流室中继续进行培养;3)利用微注射泵在微流室中进行精确的流量控制;4)利用所述微流室内的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)器件测量流体表面的粘滞度,进而计算出细胞膜电位。
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