[发明专利]信号传输线结构及其应用的电子装置有效

专利信息
申请号: 201410134385.0 申请日: 2014-04-03
公开(公告)号: CN104981087B 公开(公告)日: 2018-04-13
发明(设计)人: 颜孝璁;简育生;叶达勋 申请(专利权)人: 瑞昱半导体股份有限公司
主分类号: H05K1/02 分类号: H05K1/02
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 代理人: 余刚,吴孟秋
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 发明涉及信号传输线结构及其应用的电子装置。一种信号传输线结构包括基板、多个硅穿孔(TSV)式沟槽、导电物质、至少一个导电线路以及介电层。基板具有彼此相对的第一表面以及第二表面。硅穿孔式沟槽形成在基板的第一表面并沿着第一表面延伸。硅穿孔式沟槽的底面位于基板的第一表面与第二表面之间。导电物质填满硅穿孔式沟槽以致形成传输线路。导电线路位于传输线路的上方。介电层位于基板的第一表面上,并间隔导电线路与传输线路。
搜索关键词: 信号 传输线 结构 及其 应用 电子 装置
【主权项】:
一种使用信号传输线结构的电子装置,包括:信号传输线结构,包括:基板,具有彼此相对的第一表面以及第二表面;硅穿孔式沟槽,在所述第一表面形成并沿着所述第一表面延伸,其中所述硅穿孔式沟槽的底面位于所述第一表面与所述第二表面之间;导电物质,填满所述硅穿孔式沟槽以形成传输线路;至少一个第一导电线路,位于所述传输线路的上方;以及介电层,位于所述第一表面上并隔开所述至少一个第一导电线路与所述传输线路;前级电路,耦接所述传输线路的一端以及所述至少一个第一导电线路的一端;以及后级电路,耦接所述传输线路的另一端以及所述至少一个第一导电线路的另一端;其中,所述前级电路与所述后级电路具有不同特征阻抗或不同相位,并且所述信号传输线结构被用来调整所述特征阻抗或所述相位;其中,硅穿孔式沟槽由第一表面开始向第二表面延伸深度H1,但不贯穿基板,其中,所述硅穿孔式沟槽的深度大于二分之一的所述基板的厚度,或所述硅穿孔式沟槽的深度大于5微米。
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