[发明专利]一种电流采样电路及方法有效
申请号: | 201410134447.8 | 申请日: | 2014-04-03 |
公开(公告)号: | CN104977450B | 公开(公告)日: | 2019-04-30 |
发明(设计)人: | 宋晓贞;胡劼;张永铂 | 申请(专利权)人: | 深圳市中兴微电子技术有限公司 |
主分类号: | G01R19/00 | 分类号: | G01R19/00 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 张颖玲;王黎延 |
地址: | 518085 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种电流采样电路,该电流采样电路包括:比例电流输出电路、全差分共模负反馈电路;其中,所述比例电流输出电路,用于对功率器件输出的电流按照预设比例计算,得到第一比例电流及第二比例电流并输出到所述全差分共模负反馈电路;所述全差分共模负反馈电路,用于采用全差分共模负反馈网络及微安级的偏置电流对所述第一比例电流及第二比例电流分别进行分流,得到第一采样电流及第二采样电流并恒定输出。本发明还同时公开了一种电流采样方法。 | ||
搜索关键词: | 一种 电流 采样 电路 方法 | ||
【主权项】:
1.一种电流采样电路,其特征在于,所述电流采样电路包括:比例电流输出电路、全差分共模负反馈电路;其中,所述比例电流输出电路,用于对功率器件输出的电流按照预设比例计算,得到第一比例电流及第二比例电流,并输出到所述全差分共模负反馈电路;其中,所述功率器件采用第一横向扩散N沟道金属氧化物半导体第一LDNMOS实现;所述比例电流输出电路包括:第二LDNMOS、第三LDNMOS、第四LDNMOS、第五LDNMOS;其中,所述第二LDNMOS的漏极与所述第四LDNMOS的漏极和供电电源连接,所述第二LDNMOS的栅极与所述第一LDNMOS的栅极、所述第三LDNMOS的栅极及hdrv_in驱动电压连接,所述第二LDNMOS的源极与所述第三LDNMOS的漏极及所述第五LDNMOS的漏极连接;所述第三LDNMOS的源极与所述第一LDNMOS的源极及第一参考电流源的一端连接;所述第四LDNMOS的栅极与所述第五LDNMOS的栅极连接,所述第四LDNMOS的源极与所述全差分共模负反馈电路中的第一PMOS的源极及第三PMOS的源极连接;所述全差分共模负反馈电路,用于采用全差分共模负反馈网络及微安级的偏置电流,对所述第一比例电流及第二比例电流分别进行分流,得到第一采样电流及第二采样电流并恒定输出;所述全差分共模负反馈电路包括:P沟道金属氧化物半导体第一PMOS、第二PMOS、第三PMOS、第四PMOS、第一电阻、第二电阻、第二参考电流源、第三参考电流源、第四参考电流源、第五参考电流源;其中,所述第一PMOS的栅极与所述第二PMOS的栅极连接,所述第一PMOS的漏极与所述第一电阻的一端、第四PMOS的栅极及第三参考电流源的一端连接;所述第二PMOS的漏极与所述第二电阻的一端、第三PMOS的栅极及第四参考电流源的一端连接;所述第三PMOS的漏极与第二参考电流源的一端连接;所述第四PMOS的漏极与第五参考电流源连接;所述第一电阻的另一端与所述第二电阻的另一端、所述第一PMOS的栅极和所述第二PMOS的栅极连接;所述第一参考电流源、第二参考电流源、第三参考电流源、第四参考电流源和第五参考电流源的另一端均连接接地点。
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