[发明专利]功率半导体器件的高温测试方法在审
| 申请号： | 201410134465.6 | 申请日： | 2014-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN104977517A | 公开（公告）日： | 2015-10-14 |
| 发明（设计）人： | 朱阳军;褚为利;陆江 | 申请（专利权）人： | 江苏物联网研究发展中心;中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新区菱湖大道2*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种功率半导体器件的高温测试方法，包括：对待测的功率半导体器件进行预设时间的短路，使功率半导体器件的结温升高至所需的测试温度；对所述功率半导体器件进行所述测试温度对应的高温测试。本发明所提供的功率半导体器件的高温测试方法，通过控制功率半导体器件处于短路状态的时间，使器件达到所需测试温度，随后进行相关高温测试。由于本发明中使器件达到测试温度利用了器件处于短路状态时自身加热效应引起结温迅速升高的现象，因此最终所得到的测试温度精确，且耗时极短，提高了高温测试的精度和效率。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体器件 高温 测试 方法 | ||
【主权项】：
一种功率半导体器件的高温测试方法，其特征在于，包括：对待测的功率半导体器件进行预设时间的短路，使所述功率半导体器件的结温升高至所需的测试温度；对所述功率半导体器件进行所述测试温度对应的高温测试。
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