[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201410134682.5 | 申请日： | 2014-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN104103730A | 公开（公告）日： | 2014-10-15 |
| 发明（设计）人： | 市川周平;高泽悟;杉浦功;石桥晓 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 闫小龙;王忠忠 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及具有接触电阻小、透射率提高的辅助电极的半导体装置。为了将p型半导体层（17）与正电极（21）电连接，在p型半导体层（17）与正电极（21）之间设有辅助电极层（10）。该辅助电极层（10）由与p型半导体层（17）接触的透明的Ag层（18）和透明的金属氧化物层（19）构成，使接触电阻比未设置Ag层（18）时降低而使透射率提高。多重量子阱层（16）的发光光通过辅助电极层（10）放出到外部。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，具有：n型半导体层，将GaN作为主要成分；p型半导体层，位于所述n型半导体层的单面侧，将GaN作为主要成分；辅助电极层，位于所述p型半导体层的与所述n型半导体层相反侧；正电极，设在所述辅助电极层；以及负电极，与所述n型半导体层电连接，当相对于所述负电极在所述正电极施加正电压时，在所述p型半导体层与所述n型半导体层之间施加电压而流过工作电流，其中，所述辅助电极层具有：Ag层，以与所述p型半导体层接触的方式设置；以及金属氧化物层，以与所述Ag层接触的方式设置。
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