[发明专利]MOS晶体管和导电插塞的形成方法

摘要

一种MOS晶体管和导电插塞的形成方法，其中导电插塞的形成方法包括：提供半导体基底，在所述半导体基底上形成介质层；在所述介质层上形成硬掩膜层，所述硬掩膜层内具有贯穿其厚度的开口；以所述硬掩膜层为掩膜，沿开口刻蚀介质层，形成第一通孔，所述第一通孔的底部具有聚合物层；去除所述第一通孔底部的聚合物层；继续以所述硬掩膜层为掩膜，沿第一通孔继续刻蚀所述介质层至露出半导体基底，形成第二通孔；在所述第二通孔内填充满导电层，形成导电插塞。采用本发明的方法能够提高导电插塞的性能。

主权项

1.一种MOS晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成栅极，在所述栅极两侧的半导体衬底中形成源极和漏极；在所述半导体衬底上形成介质层，所述介质层覆盖所述栅极、源极和漏极；在所述介质层上形成硬掩膜层，所述硬掩膜层内具有贯穿其厚度的第一开口和第二开口，所述第一开口与所述栅极位置相对应，所述第二开口与所述源极或漏极位置相对应；以所述硬掩膜层为掩膜，沿所述第一开口和第二开口刻蚀所述介质层，沿所述第一开口刻蚀所述介质层形成的接触孔为栅极接触孔，沿所述第二开口刻蚀所述介质层形成的接触孔为第一源极接触孔或第一漏极接触孔，所述栅极接触孔和第一源极接触孔的底部具有聚合物层或者所述栅极接触孔和第一漏极接触孔的底部具有聚合物层；去除所述聚合物层；继续以所述硬掩膜层为掩膜，沿第一源极接触孔或第一漏极接触孔继续刻蚀所述介质层至露出所述源极或漏极，形成第二源极接触孔或第二漏极接触孔；在所述栅极接触孔内填充满导电层形成栅极接触插塞，在所述第二源极接触孔内填充满导电层形成源极接触插塞或者在所述第二漏极接触孔内填充满导电层形成漏极接触插塞；在所述介质层上形成硬掩膜层，所述硬掩膜层内具有贯穿其厚度的第一开口和第二开口的方法包括：在所述介质层上形成硬掩膜层；在所述硬掩膜层上形成第一图形化的光刻胶层；以所述第一图形化的光刻胶层为掩膜，刻蚀所述硬掩膜层，所述硬掩膜层内具有贯穿其厚度的第一开口和第二开口。