[发明专利]高压金属氧化物半导体晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201410136033.9 | 申请日： | 2014-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN104979390A | 公开（公告）日： | 2015-10-14 |
| 发明（设计）人： | 萧世楹;游焜煌;李文芳;林淑雯;陈冠全 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种高压金属氧化物半导体晶体管及其制造方法。半导体晶体管包含一基底、一栅极介电层、一栅极以及一源极与漏极区。该栅极介电层，是设置在该基底上，具有一凸部及一凹陷部，其中该凸部设置于该凹陷部的两侧且具有大于该凹陷部的厚度。该栅极则设置于该栅极介电层上。由此，该栅极介电层的凸部可维持较高的击穿电压，避免电流自栅极渗漏。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 金属 氧化物 半导体 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种高压金属氧化物半导体晶体管，其特征在于，包含：基底；栅极介电层，该栅极介电层设置在该基底上，该栅极介电层具有凸部及凹陷部，该凸部是设置在该凹陷部的两侧且具有大于该凹陷部的厚度；栅极，该栅极设置在该栅极介电层上；以及源极与漏极区，该源极与漏极区设置于该基底中，且位于该栅极的两侧。
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