[发明专利]非侵入式温度测量组件有效
申请号: | 201410136433.X | 申请日: | 2014-04-04 |
公开(公告)号: | CN104748889B | 公开(公告)日: | 2019-08-30 |
发明(设计)人: | 派特·多德森·匡威 | 申请(专利权)人: | 罗斯蒙特公司 |
主分类号: | G01K13/02 | 分类号: | G01K13/02;G01K1/16 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 余婧娜 |
地址: | 美国明*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种与过程器皿壁一起使用的温度传感器组件,包括:基座结构、第一温度传感器、第二温度传感器和处理器。基座结构与过程器皿壁的外表面形成接触区域。第一温度传感器延伸穿过基座结构,以测量过程器皿壁的外表面的温度。第二温度传感器处于与第一表面隔开的第二表面,以测量基座结构的第二表面的温度。处理器与第一温度传感器和第二温度传感器相连,并被适配为将内部过程器皿壁温度值确定为过程器皿壁的外表面的测量温度、基座结构的第二表面的测量温度、基座结构参数和过程器皿壁参数的函数。 | ||
搜索关键词: | 侵入 温度 测量 组件 | ||
【主权项】:
1.一种与过程器皿壁一起使用的温度传感器组件,所述组件包括:基座结构,包括:第一表面,被适配为:与所述过程器皿壁的外表面的一部分形成接触区域,以及第二表面,与所述第一表面间隔基座结构的厚度;第一温度传感器,延伸穿过所述基座结构到达所述接触区域,以测量所述过程器皿壁的外表面的温度;第二温度传感器,放置于所述基座结构的第二表面,以测量所述基座结构的第二表面的温度;以及处理器,与所述第一温度传感器和所述第二温度传感器相连,并被适配为:从第一温度传感器接收所述过程器皿壁的外表面的测量温度,从第二温度传感器接收所述基座结构的第二表面的测量温度,并将内部过程器皿壁温度值确定为所述过程器皿壁的外表面的测量温度与所述基座结构的第二表面的测量温度之差和一因子的乘积与所述过程器皿壁的外表面的测量温度之和,其中所述因子是至少所述基座结构的导热值、所述基座结构在所述第一表面和所述第二表面之间的厚度、以及作为所述过程器皿壁参数的所述过程器皿壁的厚度和所述过程器皿壁的导热值的函数。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于罗斯蒙特公司,未经罗斯蒙特公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410136433.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种皮革的张力检测机
- 下一篇:分布式光纤温度传感器及其温度三解调算法