[发明专利]半导体器件制备方法以及堆栈式芯片的制备方法有效
| 申请号： | 201410136618.0 | 申请日： | 2014-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN103915462B | 公开（公告）日： | 2016-11-23 |
| 发明（设计）人： | 高喜峰;叶菁 | 申请（专利权）人： | 豪威科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L21/50 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201210 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件制备方法，包括：提供一基底，所述基底的一侧上具有一器件功能层；在所述器件功能层中制备一第一开口，所述第一开口贯穿所述器件功能层，所述第一开口的侧壁与所述第一开口的底壁的夹角小于90°；以所述器件功能层为掩膜，所述第一开口为掩膜图形，对所述基底进行刻蚀，在所述基底上形成一第二开口。本发明还提供一种堆栈式芯片的制备方法，采用上述的半导体器件制备方法制备第二开口。所述半导体器件制备方法可以简化半导体制备工艺，提高半导体制备工厂(FAB)产能，降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制备 方法 以及 堆栈 芯片 | ||
【主权项】：
一种半导体器件制备方法，其特征在于，包括：提供一基底，所述基底的一侧上具有一器件功能层；在所述器件功能层中制备一第一开口，所述第一开口贯穿所述器件功能层，所述第一开口的侧壁与所述第一开口的底壁的夹角小于90°；以所述器件功能层为掩膜，所述第一开口为掩膜图形，对所述基底进行刻蚀，在所述基底上形成一第二开口，所述第二开口的尺寸小于所述第一开口的底部尺寸。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
