[发明专利]发光元件有效
| 申请号： | 201410136673.X | 申请日： | 2009-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN104022204B | 公开（公告）日： | 2017-08-25 |
| 发明（设计）人： | 宋俊午 | 申请（专利权）人： | 宋俊午 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人： | 周燕,夏凯 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光元件。发光元件包括第一导电半导体层；第一导电半导体层上的有源层；有源层上的第二导电半导体层；钝化层，所述钝化层包围第一导电半导体层、有源层、以及第二导电半导体层；钝化层上的第一光提取结构，该钝化层上的第一光提取结构具有凹凸结构；第一电极层，该第一电极层通过钝化层和第一光提取结构层被电气地连接到第一导电半导体层；以及第二电极层，该第二电极层通过钝化层和光提取结构层而被电气地连接到第二导电半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 元件 | ||
【主权项】：
一种发光器件，包括：支撑衬底，所述支撑衬底由导电材料形成；接触扩展层，所述接触扩展层在所述支撑衬底上；发光半导体层，所述发光半导体层包括在所述接触扩展层上的第二导电半导体层；有源层，所述有源层在所述第二导电半导体层上；以及第一导电半导体层，所述第一导电半导体层在所述有源层上；突出部分，所述突出部分被设置在所述第一导电半导体层的顶表面上并且包括与所述第一导电半导体层不同的材料；光提取结构层，所述光提取结构在所述发光半导体层的顶表面上，具有凹凸结构；钝化层，所述钝化层被设置在所述光提取结构层和所述发光半导体层之间；以及第一电极层，所述第一电极层被设置在所述第一导电半导体层上，其中，所述钝化层和所述光提取结构层被设置在所述发光半导体层的侧表面上，其中，所述凹凸结构与所述突出部分垂直地重叠，其中，所述第一电极层被设置在所述第一导电半导体层的一部分上，所述第一导电半导体层的一部分通过所述光提取结构层和所述钝化层的凹部来暴露，其中，所述支撑衬底被电气地连接到所述第二导电半导体层，其中，所述凹凸结构和所述突出部分包围所述第一电极层的区域，其中，所述第一电极层被直接地连接到所述第一导电半导体层的顶表面，其中，所述第一电极层设置在所述光提取结构层，所述突出部分以及所述钝化层的凹部中，并且所述第一电极层的左侧表面和右侧表面不与所述突出部分，所述钝化层以及所述光提取结构层直接接触，以及其中，所述光提取结构层形成在包围所述发光半导体层的所述钝化层的顶表面和横表面上。
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