[发明专利]一种半导体中异价金属离子掺杂的方法有效

专利信息
申请号: 201410136749.9 申请日: 2014-04-04
公开(公告)号: CN103887152A 公开(公告)日: 2014-06-25
发明(设计)人: 张加涛;赵倩;钱红梅;桂晶 申请(专利权)人: 北京理工大学
主分类号: H01L21/06 分类号: H01L21/06
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100081 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及一种半导体中异价金属离子掺杂的方法,属于半导体纳米材料的绿色制备及光电性能调控领域。所述方法包括:将油酸、油胺加入到异价金属M的硫属化合物MxXy纳米颗粒溶胶中,搅拌均匀,得到混合物a;将混合物a中再加入镉盐的甲醇溶液,搅拌均匀,得到混合物b;将混合物b加入膦配体,于30~80℃搅拌反应2h~4h,洗涤离心,得到沉淀物c,将所得沉淀物c分散到非极性有机溶剂中,得到异价掺杂的半导体。所述方法操作简单,低温下在溶剂中实现半导体光电纳米材料中异价金属离子的有效取代性掺杂,并实现了对半导体纳米材料的发光性质,p、n型导电类型的调控,应用领域广泛。
搜索关键词: 一种 半导体 中异价 金属 离子 掺杂 方法
【主权项】:
一种半导体中异价金属离子掺杂的方法,其特征在于,所述方法步骤如下:步骤1、将油酸、油胺加入到异价金属M的硫属化合物MxXy纳米颗粒溶胶中,搅拌均匀,得到混合物a;异价金属M为一价的Cu,Ag;X为硫、硒或碲的一种或多种;步骤2、将混合物a中再加入镉盐的甲醇溶液,搅拌均匀,得到混合物b;所述镉盐的质量浓度为0.1~0.2g/ml;步骤3、将混合物b加入膦配体,于30~80℃搅拌反应2h~4h,洗涤离心,得到沉淀物c,将所得沉淀物c分散到非极性有机溶剂中,得到异价掺杂的半导体;膦配体为三丁基膦TBP、三正辛基膦、三苯基膦或亚磷酸三甲酯;非极性有机溶剂为甲苯或正己烷;所述半导体为掺杂一价银离子和一价铜离子的半导体,呈现出零维纳米结构;油酸、油胺、镉盐的甲醇溶液和膦配体的体积比为4:2:1:1‑4:2:20:4。
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