[发明专利]包括玻璃焊接掩模层的集成电路封装组件有效

专利信息
申请号: 201410138101.5 申请日: 2014-04-08
公开(公告)号: CN104103596B 公开(公告)日: 2017-10-10
发明(设计)人: C·胡;Q·马;C-P·秋 申请(专利权)人: 英特尔公司
主分类号: H01L23/00 分类号: H01L23/00;H01L23/488;H01L23/498
代理公司: 永新专利商标代理有限公司72002 代理人: 韩宏,陈松涛
地址: 美国加*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 本公开的实施例目的在于包括玻璃焊接掩模层和/或桥的集成电路封装组件的技术和配置。在一个实施例中,装置包括具有电布线特征的一个或多个内建层和由玻璃材料构成的焊接掩模层,该焊接掩模层与一个或多个内建层耦合,并具有设置在焊接掩模层中的开口以允许通过一个或多个开口将封装级互连结构与电布线特征耦合。可描述和/或主张其它实施例。
搜索关键词: 包括 玻璃 焊接 掩模层 集成电路 封装 组件
【主权项】:
一种集成电路(IC)封装组件,所述集成电路封装组件包括:一个或多个内建层,其具有电布线特征,其中所述一个或多个内建层的第一材料具有第一热膨胀系数(CTE);管芯,其与所述一个或多个内建层的第一侧面耦合;模塑料,用于至少部分地包封所述管芯,其中所述模塑料的第二材料具有第二热膨胀系数;以及具有第三材料的焊接掩模层,所述第三材料不同于所述一个或多个内建层的所述第一材料和所述模塑料的所述第二材料,并且具有与所述第一热膨胀系数或所述第二热膨胀系数中的至少一个相匹配的第三热膨胀系数,其中具有所述第三材料的所述焊接掩模层包括玻璃片,所述玻璃片由硅石或石英构成,所述玻璃片与所述一个或多个内建层的第二侧面耦合,并具有设置在所述玻璃片中的开口以允许通过所述开口将封装级互连结构与所述电布线特征耦合,其中所述硅石或石英具有从3到7的热膨胀系数,并且所述玻璃片具有从15微米到50微米的硅石或石英的厚度,所述第二侧面被设置为与所述第一侧面相对;其中所述开口中的两个开口之间的间距小于或等于400微米;并且所述开口中的开口具有在100微米到300微米之间的直径。
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