[发明专利]发光二极管及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201410138137.3 申请日: 2014-04-08
公开(公告)号: CN104103726B 公开(公告)日: 2018-02-13
发明(设计)人: 纪喨胜;陈佩佳;陈之皓 申请(专利权)人: 晶元光电股份有限公司
主分类号: H01L33/20 分类号: H01L33/20;H01L33/00;H01L21/78
代理公司: 北京市柳沈律师事务所11105 代理人: 陈小雯
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 发明公开一种发光二极管及其制造方法。发光二极管包含一基板,基板包含一上表面、一底面相对于上表面以及一侧表面;一第一型态半导体层位于上表面上,其中第一型态半导体层包含一第一部分以及一第二部分,且第二部分包含一边缘围绕第一部分;一发光层在第一部分上;以及一第二型态半导体层在发光层上,其中,第二部分包含一第一表面以及一第二表面,在第一表面以及上表面之间具有一第一距离,在第二表面以及上表面之间具有一第二距离小于第一距离,其中,第一表面比第二表面粗糙,且第二表面位于边缘。
搜索关键词: 发光二极管 及其 制造 方法
【主权项】:
一发光二极管,包含:基板,该基板包含一上表面、一底面相对于该上表面以及一侧表面;第一型态半导体层,位于该上表面上,其中该第一型态半导体层包含第一部分以及第二部分,且该第二部分包含一边缘围绕该第一部分;发光层,在该第一部分上;以及第二型态半导体层,在该发光层上,其中,该第二部分包含第一表面以及第二表面,在该第一表面以及该上表面之间具有第一距离,在该第二表面以及该上表面之间具有第二距离小于该第一距离,其中,该第一表面与该第二表面具有不同粗糙度,且该第二表面位于该边缘。
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