[发明专利]颗粒清理装置在审
申请号: | 201410138311.4 | 申请日: | 2014-04-08 |
公开(公告)号: | CN103926787A | 公开(公告)日: | 2014-07-16 |
发明(设计)人: | 卞荣华;谢华;莫少文 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | G03F1/82 | 分类号: | G03F1/82 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 王宏婧 |
地址: | 201203 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种颗粒清理装置,通过驱动装置驱动回收装置对设备环境中的颗粒进行吸附回收,有效的对设备环境中角落处颗粒的清理,避免了人工手动擦拭需要耗费大量的人力物力且洁净效果不佳的现象,提高了设备环境颗粒的洁净度,进而提高了光罩的洁净度。 | ||
搜索关键词: | 颗粒 清理 装置 | ||
【主权项】:
一种颗粒清理装置,适用于光刻机设备中,其特征在于,包括:驱动装置及与所述驱动装置连接的回收装置。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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