[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种以低成本来实现特性均匀化的电子射线照射的半导体装置的制造方法。从层叠有多片晶片的晶片堆叠体的表面和背面这两个方向照射电子射线。另外，使晶片堆叠体的晶片累计厚度比电子射线的射程要薄。由此，提供一种能够使晶片之间的电气特性极为均匀化、而且能够使电子射线的照射次数减少以降低成本的半导体装置制造方法。

主权项

1.一种半导体装置制造方法，从层叠两片以上半导体基板而构成的晶片堆叠体的主面照射电子射线，其特征在于，该半导体装置制造方法具有如下工序：从所述晶片堆叠体的一个主面照射电子射线的第一照射工序；以与所述电子射线的照射中的加速能量相同的加速能量，从所述晶片堆叠体的另一个主面照射电子射线的第二照射工序；预先向照射剂量监视器照射电子射线，以获取从所述晶片堆叠体的一个主面到另一个主面的多个半导体基板的照射剂量数据的获取工序；以及根据该获取工序所获得的所述照射剂量数据，对与照射至所述照射剂量监视器时的加速能量相同的电子射线的所需照射量及其照射次数进行计算的计算工序，基于该所需照射量及其照射次数来进行所述第一照射工序和所述第二照射工序。