[发明专利]扩大沟槽开口的方法在审
| 申请号： | 201410138988.8 | 申请日： | 2014-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN103928396A | 公开（公告）日： | 2014-07-16 |
| 发明（设计）人： | 朱亚丹;周军;桑宁波 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明在扩大沟槽开口之前，先在所述沟槽的内壁上形成衬垫层，以保护所述沟槽的中下部，防止其在后续扩大开口的过程中被蚀刻而使沟槽的形貌变得弯曲；然后再进行沟槽开口扩大的步骤，使得所述沟槽的中部和底部的尺寸不会偏离目标值，以顺利进行后续的淀积过程。 | ||
| 搜索关键词： | 扩大 沟槽 开口 方法 | ||
【主权项】：
一种扩大沟槽开口的方法，包括：提供一衬底，所述衬底上形成有介质层，所述介质层中形成有沟槽；在所述沟槽内壁以及所述介质层上形成衬垫层；扩大所述沟槽顶部的开口；以及剥离所述衬垫层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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