[发明专利]一种氧化锌压控变容管的制备方法有效
| 申请号： | 201410139003.3 | 申请日： | 2014-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN103952674A | 公开（公告）日： | 2014-07-30 |
| 发明（设计）人： | 李玲霞;郑浩然;于仕辉;许丹;董和磊;金雨馨 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/08 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 张宏祥 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氧化锌压控变容管的制备方法，先将ZnO粉末压制成型，采用固相烧结法于1100℃烧制ZnO靶材；再将Pt-Si衬底清洗干净，利用磁控溅射沉积技术，沉积得到ZnO薄膜，溅射功率100～200W；再于氧气气氛炉中400℃～600℃后退火处理，退火时间5～60min；再利用掩膜版制备金属电极，并利用热蒸镀法或者溅射法制备Au或者Pt电极。本发明的ZnO压控薄膜变容管的调谐率极高（70%以上），驱动电压低（小于80kV/cm），材料价廉，工艺简单、电学性能优良，具有良好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化锌 压控变容管 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氧化锌压控变容管的制备方法，具有如下步骤：（1）称取ZnO粉末，压制成型，采用固相烧结法于1100℃烧制ZnO靶材；（2）将Pt‑Si衬底清洗干净，以N2吹干并放入磁控溅射样品台上；（3）将磁控溅射系统的本底真空抽至P<7.0×10‑6Torr，然后加热Pt‑Si衬底至300～700℃；（4）以高纯氩气和氧气作为溅射气体，Ar和O2的流量比为10:1～2:1,气体总流量为100sccm，溅射气压为10mTorr，溅射功率为100～200W，进行沉积得到ZnO薄膜；（5）步骤（4）停止后，待Pt‑Si衬底温度降至200℃以下时，取出制品，在氧气气氛炉中进行后退火处理，所述退火温度为400℃～600℃，退火时间为5～60min；（6）在步骤（5）退火后的ZnO薄膜上面利用掩膜版制备金属电极，并利用热蒸镀法或者溅射法制备Au或者Pt电极。
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