[发明专利]一种脉冲响应型瞬时电离辐射敏感电子开关

摘要

本发明涉及一种脉冲响应型瞬时电离辐射敏感电子开关，采用辐射探测、RC延时、组合逻辑及驱动相结合的脉冲响应型瞬时辐射敏感电子开关，该开关驱动能力和抗电磁干扰能力强，灵敏度高，可用于瞬时电离辐射下避免电子器件或系统发生闩锁。优点是：电路本身受瞬时电离辐射后不会发生闩锁，且受总剂量为1×10³Gy(Si)的辐射后，性能保持不变。可对瞬时电离辐射灵敏探测，并快速关断电压输出，避免后级器件或系统发生闩锁。采用脉冲响应方式，在开关关断期间，不受其他脉冲信号干扰，保证了关断时间的稳定控制。采用元件数少，结构简单，具有驱动能力强、自身功耗小等特点。

主权项

一种脉冲响应型瞬时电离辐射敏感电子开关，其特征在于包括由探测器D和限流电阻R1串联组成的敏感探测单元；由电容C和延时电阻R2串联组成的延时单元；由NMOS管M3、NMOS管M4、PMOS管M1、PMOS管M2、PMOS管M5和NMOS管M6组成的组合逻辑单元；由PMOS开关管M7和NMOS开关管M8组成的驱动单元；开关输入端Vin与公共接地端GND之间并联敏感探测单元和驱动单元，还并联PMOS管M1、PMOS管M2和NMOS管M4串联电路，以及PMOS管M5和NMOS管M6串联组成的非门级电路；探测器D的输入端与PMOS管M1与NMOS管M4的输入端连接；PMOS管M5和NMOS管M6的输出端连接PMOS开关管M7和NMOS开关管M8的输入端，同时通过电容C和延时电阻R2串联组成的延时单元与公共接地端GND连接；电容C的输出端连接PMOS管M2和NMOS管M3的输入端；NMOS管M3的输出端连接PMOS管M5和NMOS管M6的输入端；PMOS开关管M7与NMOS开关管M8串联连接点为驱动单元的输出端，并作为开关的输出端Vout。