[发明专利]半导体装置和其制造方法有效
| 申请号： | 201410139469.3 | 申请日： | 2014-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN104143550B | 公开（公告）日： | 2019-07-12 |
| 发明（设计）人： | 横山孝司 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 梁兴龙;陈桂香 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种能够减小连接电阻的半导体装置以及制造半导体装置的方法。所述半导体装置包括：在半导体基板的主面侧上的晶体管；和在所述半导体基板的背面侧上的电阻变化元件，其中所述晶体管包括在所述半导体基板内的低电阻部，所述低电阻部延伸到所述半导体基板的背面，绝缘膜与所述低电阻部的背面接触设置，所述绝缘膜具有面对所述低电阻部的开口，和所述电阻变化元件通过所述开口连接到所述低电阻部。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：在半导体基板的主面侧上的晶体管；和在所述半导体基板的背面侧上的电阻变化元件，其中所述晶体管包括在所述半导体基板内的扩散层和低电阻部，所述低电阻部具有比所述扩散层的电阻低的电阻，所述低电阻部延伸到所述半导体基板的背面，绝缘膜与所述低电阻部的背面接触设置，所述绝缘膜具有面对所述低电阻部的开口，和所述电阻变化元件通过所述开口连接到所述低电阻部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
