[发明专利]一种半导体器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201410140183.7 | 申请日： | 2014-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN104979393B | 公开（公告）日： | 2018-10-23 |
| 发明（设计）人： | 郑凯 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/49;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件及其制作方法，根据本发明的方法制作“Pseudo‑Spin”耦合石墨烯场效应晶体管，这将在制作硅CMOS器件技术中提供较小尺寸的MOSFET，石墨烯与其他的半导体材料相比具有意想不到的优势，例如，超高迁移率、双极型导体和超灵活性等。根据本发明制作的“Pseudo‑Spin”耦合石墨烯场效应晶体管与现有制作的垂直“Pseudo‑Spin”场效应晶体管相比更容易制作和性能更优良。并且该“Pseudo‑Spin”耦合石墨烯场效应晶体管能够和硅CMOS工艺兼容。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制作方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成第一电介质层；在所述第一电介质层上形成N型石墨烯层；图案化所述N型石墨烯层，以露出部分的所述第一电介质层；在露出的所述第一电介质层和所述N型石墨烯层上形成第二电介质层；图案化所述第二电介质层，以露出部分的所述N型石墨烯层，完全覆盖露出的所述第一电介质层；在图案化的所述第二电介质层上形成P型石墨烯层；图案化所述P型石墨烯层，以露出部分的位于所述N型石墨烯层上方的所述第二电介质层；在所述半导体衬底上形成第三电介质层；图案化所述第三电介质层，以露出部分的所述N型石墨烯层和所述P型石墨烯层。
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