[发明专利]一种半导体器件在审
| 申请号： | 201410140258.1 | 申请日： | 2014-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN104979305A | 公开（公告）日： | 2015-10-14 |
| 发明（设计）人： | 陈威 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件，包括：半导体衬底以及位于所述半导体衬底上的微电子构件；金属间介电层，依次位于所述半导体衬底之上；金属互连线，镶嵌于所述金属间介电层内，并与所述微电子构件连接；链式冗余金属结构，位于所述金属间介电层内，与所述金属互连线相绝缘；介电层，位于所述金属间介电层之上；接合焊盘，位于所述介电层内，并通过所述金属互连线与所述微电子构件连接；散热器，位于所述介电层内，与所述接合焊盘相绝缘，且与所述链式冗余金属结构相连。根据本发明的带有链式冗余金属结构的散热器，可提供更多和更深的热传导路径，有效提高芯片的散热效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：半导体衬底以及位于所述半导体衬底上的微电子构件；金属间介电层，依次位于所述半导体衬底之上；金属互连线，镶嵌于所述金属间介电层内，并与所述微电子构件连接；链式冗余金属结构，位于所述金属间介电层内，与所述金属互连线相绝缘；介电层，位于所述金属间介电层之上；接合焊盘，位于所述介电层内，并通过所述金属互连线与所述微电子构件连接；散热器，位于所述介电层内，与所述接合焊盘相绝缘，且与所述链式冗余金属结构相连。
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