[发明专利]III–V族纳米结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201410140814.5 | 申请日： | 2014-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN104973558B | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | 潘革波;邓凤祥;胡立峰;赵宇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | B81B1/00 | 分类号： | B81B1/00;B81C1/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)32256 | 代理人： | 王锋 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种III‑V族纳米结构，包括III‑V族基底以及形成于所述III‑V族基底上的多孔结构，所述每个孔包括上下相通的多个六方体空间。本申请还公开了一种III‑V族纳米结构的制备方法。本发明合成的III‑V族三维层状多孔纳米结构材料在结构上，具备纯度高，形貌结构一致（呈六方状），层状分布明显等特点；在制备工艺上，具备反应条件温和，设备简单，工艺条件易控，而且成本低等优点，并符合实际生产的需要。该新颖结构有望应用于III‑V族基的先进光学电子器件中，包括LED，生物化学传感器，太阳能电池，光学元器件等。 | ||
| 搜索关键词： | iii 纳米 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种III‑V族纳米结构的制作方法，其特征在于，包括步骤：s1、对III‑V族基底进行处理，形成粗糙的表面；s2、室温下，采用王水对步骤s1中处理后的III‑V族基底进行进一步处理，获得具有三维层状多孔纳米结构的III‑V族基底。
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