[发明专利]一种综合孔径微波辐射计阵列因子成型方法在审

专利信息
申请号: 201410140849.9 申请日: 2014-04-09
公开(公告)号: CN103955602A 公开(公告)日: 2014-07-30
发明(设计)人: 李青侠;丰励;陈柯;李育芳 申请(专利权)人: 华中科技大学
主分类号: G06F19/00 分类号: G06F19/00
代理公司: 华中科技大学专利中心 42201 代理人: 梁鹏
地址: 430074 湖北*** 国省代码: 湖北;42
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种综合孔径微波辐射计阵列因子成型方法,包括:根据天线单元的位置坐标计算与天线单元对应的空间频率域中的采样点的位置;在每个采样点上乘以一个对应于该采样点的系数,得到经过修正的阵列因子,并选择期望的阵列因子,计算经过修正的阵列因子与期望阵列因子的误差函数;计算使得误差函数范数最小或者均方误差最小条件下的系数;将上述计算得到的系数乘到相应的采样点上,得到修正后的阵列因子。经过修正后的阵列因子具有较小的旁瓣或较窄的主波束,提高非均匀采样综合孔径辐射计的反演精度;不仅适用于非均匀采样综合孔径辐射计,同时也适用于均匀采样综合孔径辐射计;对提高综合孔径辐射计的反演精度及空间分辨率有较好的效果。
搜索关键词: 一种 综合 孔径 微波 辐射计 阵列 因子 成型 方法
【主权项】:
一种综合孔径微波辐射计阵列因子成型方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤S1:根据天线单元的位置坐标计算与天线单元对应的空间频率域中的采样点的位置(uk,vk);步骤S2:在每个采样点(uk,vk)上乘以一个对应于该采样点的系数ck,得到经过修正的阵列因子AFm(ξ,η),并选择期望的阵列因子AFideal(ξ,η),计算经过修正的阵列因子与期望阵列因子的误差函数e(ξ,η)=a·[AFm(ξ,η)‑AFideal(ξ,η)]主波束+b·[AFm(ξ,η)‑AFideal(ξ,η)]旁瓣,其中系数a和b用来调节主波束和旁瓣区间内的误差的权重比例,是取值于区间(0,1]内的实数,在权重相同的情况下a=b=1;步骤S3:计算使得误差函数e(ξ,η)范数最小或者均方误差最小条件下的系数C=[c0,c1,…,cN‑1]T;步骤S4:将步骤S3中计算得到的系数ck乘到相应的采样点(uk,vk)上,得到修正后的阵列因子AF′(ξ,η)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华中科技大学,未经华中科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410140849.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top