[发明专利]一种铜铁锡硒薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 201410141014.5 | 申请日： | 2014-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN103938169A | 公开（公告）日： | 2014-07-23 |
| 发明（设计）人： | 孟宪宽;杨平雄;褚君浩 | 申请（专利权）人： | 华东师范大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/58;H01L31/032 |
| 代理公司： | 上海麦其知识产权代理事务所(普通合伙) 31257 | 代理人： | 董红曼 |
| 地址： | 200062 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种可用于作为薄膜太阳能电池吸收层的铜铁锡硒薄膜Cu2FeSnSe4的制备方法，使用磁控溅射方法在玻璃衬底上自下而上依次沉积锡、铁、铜金属层，得到层状金属薄膜前驱体；然后，将所述层状金属薄膜前驱体置于石墨盒中并加入硒粉，一同放置于管式快速退火炉中进行后硒化处理，得到目的产物铜铁锡硒薄膜Cu2FeSnSe4；其中，所述铜铁锡硒薄膜Cu2FeSnSe4中的各金属元素含量是通过调节金属层的溅射沉积时间来调控。本发明方法简单方便，所述铜铁锡硒薄膜的组分含量可以精确控制，进而接近化学计量比，适合大规模生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 铜铁锡硒 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种铜铁锡硒薄膜Cu2FeSnSe4的制备方法，其特征在于，使用磁控溅射方法在玻璃衬底上自下而上依次沉积锡、铁、铜金属层，得到层状金属薄膜前驱体；然后，将所述层状金属薄膜前驱体置于石墨盒中并加入硒粉，一同放置于管式快速退火炉中进行后硒化处理，得到所述铜铁锡硒薄膜Cu2FeSnSe4；其中，所述铜铁锡硒薄膜Cu2FeSnSe4中的各金属元素含量是通过调节金属层的溅射沉积时间来调控。
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