[发明专利]一种低稀土含量的各向异性纳米晶NdFeB致密磁体及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201410141218.9 申请日: 2014-04-10
公开(公告)号: CN103928204A 公开(公告)日: 2014-07-16
发明(设计)人: 马毅龙;陈登明;孙建春;周安若;李春红 申请(专利权)人: 重庆科技学院
主分类号: H01F1/057 分类号: H01F1/057;H01F41/02;B22F9/04;B22F3/16
代理公司: 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 代理人: 汤东凤
地址: 400020 重*** 国省代码: 重庆;85
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摘要: 发明公开了一种低稀土含量的各向异性纳米晶NdFeB致密磁体及其制备方法,以原子百分比计,稀土含量为8~12%,B元素含量5.6~6.2%,Zn元素0.5~2.5%,Nb元素0.5~3%,Co元素0~9%,Ga元素0~0.5%,其余为Fe元素。首先采用真空熔炼制备合金,然后采用快淬法制备合金粉末;将合金粉末与一定量的锌粉混合后,利用低能球磨技术,并添加适量有机溶剂和表面活性剂进行球磨,使粉末混合均匀;最后经热压、热变形制得致密的各向异性纳米晶稀土永磁材料。本发明制得的各向异性致密磁体所含稀土较少,矫顽力较高,具有优异的综合永磁性能,且制备工艺简单,所用原料成本较低,适于规模生产。
搜索关键词: 一种 稀土 含量 各向异性 纳米 ndfeb 致密 磁体 及其 制备 方法
【主权项】:
一种低稀土含量的各向异性纳米晶NdFeB致密磁体,其特征在于,以原子百分比计,稀土含量为8~12%,B元素含量5.6~6.2%,Zn元素0.5~2.5%,Nb元素0.5~3%,Co元素0~9%,Ga元素0~0.5%,其余为Fe元素。
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