[发明专利]一种功率半导体芯片测试用覆铜陶瓷基板

摘要

一种功率半导体芯片测试用覆铜陶瓷基板，自上而下依次为：上铜层（0101）、陶瓷层（0102）、下铜层（0103）。上铜层（0101）刻蚀有正电极区（0201）、公共电极区（0202）、负电极区（0203）、第一门极区（0204）、第二门极区（0205），以及门极桥接区（0206），六个电路区域之间有绝缘沟道（0209）。第一门极区（0204）位于上铜层（0101）的左端，第一门极区（0204）的上方和右方为正电极区（0201），第一门极区（0204）的下方为公共电极区（0202）。公共电极区（0202）的右侧为负电极区（0203）。负电极区（0203）的左侧及下方为公共电极区（0202），右侧为第二门极区（0205）。门极桥接区（0206）位于负电极区（0203）内部，并且，门极桥接区（0206）位于覆铜陶瓷基板（01）的横轴中心线上。

主权项

一种功率半导体芯片测试用覆铜陶瓷基板，其特征在于，所述的覆铜陶瓷基板由三层结构组成，自上而下依次为：上铜层（0101）、陶瓷层（0102）、下铜层（0103）；上铜层（0101）的下方为陶瓷层（0102），陶瓷层（0102）的作用是实现上铜层（0101）与下铜层（0103）的电气绝缘；陶瓷层（0102）的下方为下铜层（0103），下铜层（0103）的作用是固定覆铜陶瓷基板；所述的上铜层（0101）刻蚀有电路图六个独立的电路区域：正电极区（0201）、公共电极区（0202）、负电极区（0203）、第一门极区（0204）、第二门极区（0205），以及门极桥接区（0206）；所述六个电路区域之间均刻蚀有绝缘沟道（0209）；所述的第一门极区（0204）位于上铜层（0101）的最左端，第一门极区（0204）的上方和右方为正电极区（0201），第一门极区（0204）的下方为公共电极区（0202）；公共电极区（0202）的左侧为正电极区（0201），公共电极区（0202）的右侧为负电极区（0203）；负电极区（0203）的左侧及下方为公共电极区（0202），右侧为第二门极区（0205）；所述的门极桥接区（0206）位于负电极区（0203）内部，并且，门极桥接区（0206）位于覆铜陶瓷基板（01）的横轴中心线上。