[发明专利]一种半导体器件及其制造方法和电子装置

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制造方法和电子装置，涉及半导体技术领域。本发明的半导体器件，通过穿层导电互连件实现第一半导体器件层与第二半导体器件层间的互连，可以降低因互连结构引起的RC延迟与寄生电容，提高半导体器件的性能。本发明的半导体器件的制造方法，用于制造上述半导体器件，制得的半导体器件同样具有上述优点。本发明的电子装置，使用了上述半导体器件，因而也具有上述优点。

主权项

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：第一半导体器件层，其中所述第一半导体器件层内形成有第一PN结与第一沟槽绝缘体，所述第一半导体器件层的第一表面被第一介电质层所覆盖、与所述第一表面相对的第二表面被第二介电质层所覆盖，并且所述第一介电质层内形成有第一横向导电连接件；第二半导体器件层，其中所述第二半导体器件层内形成有第二PN结，所述第二半导体器件层的第一表面被第三介电质层所覆盖，并且，所述第三介电质层内形成有第二横向导电连接件，所述第三介电质层与所述第一介电质层相粘接；还包括穿过所述第一介电质层的一部分并嵌入所述第三介电质层的穿层垂直导电互连件，所述穿层垂直导电互连件的顶端位于所述第一介电质层内，所述穿层垂直导电互连件的水平侧面分层被所述第一介电质层和所述第三介电质层所绝缘；其中所述穿层垂直导电互连件的位于所述第一介电质层内的第一底部与所述第一横向导电连接件相连接，位于所述第三介电质层内的第二底部与所述第二横向导电连接件相连接。