[发明专利]一种脉冲阳极氧化制备高度有序二氧化钛纳米管阵列薄膜制备的方法

摘要

一种脉冲阳极氧化制备高度有序二氧化钛纳米管阵列薄膜制备的方法，属于纳米管阵列薄膜技术领域。本发明采用方波阳极氧化技术在金属钛基体表面原位合成高度有序的二氧化钛纳米管阵列薄膜。获得的二氧化钛纳米管阵列薄膜是具有高度有序的二氧化钛纳米管阵列薄膜。将其在300-600℃进行热处理保温1-6h后可获得锐钛矿型二氧化钛纳米管阵列薄膜。由此方法获得的二氧化钛纳米管阵列薄膜不仅在染料敏化太阳能电池、光催化、气敏传感器等领域具有广阔的应用前景，而且还可作为良好的模板进行制备二氧化钛纳米管阵列复合薄膜。所制备的二氧化钛纳米管阵列薄膜具有高度有序的排列结构。

主权项

一种脉冲阳极氧化制备高度有序二氧化钛纳米管阵列薄膜制备的方法，其特征在于，包含以下步骤：（1）对金属钛片进行清洗处理；（2）对金属钛片进行阳极氧化处理，将阳极氧化与脉冲控制技术相结合在金属钛基体上原位获得具有高度有序的二氧化钛纳米管阵列薄膜，氧化电压为方波脉冲电压；（3）将步骤（2）阳极氧化获得二氧化钛纳米管阵列薄膜在300‑600℃范围内进行1‑6h热处理，获得锐钛矿型二氧化钛纳米管阵列薄膜。