[发明专利]一种化学液供给装置及其供给方法有效
申请号: | 201410143807.0 | 申请日: | 2014-04-11 |
公开(公告)号: | CN104979236B | 公开(公告)日: | 2017-09-26 |
发明(设计)人: | 谷德君 | 申请(专利权)人: | 沈阳芯源微电子设备有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 沈阳科苑专利商标代理有限公司21002 | 代理人: | 白振宇 |
地址: | 110168 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明属于半导体行业晶片湿法处理领域,具体地说是一种化学液供给装置及其供给方法,第一、二供液桶分别连通由电磁阀控制开关的供气源,原料桶与第一供液桶相连通,并在管路上设有药液阀;第一供液桶输出的化学液一路连通由药液阀控制开关的浸泡单元,另一路连通向工艺处理腔体内晶圆喷洒化学液的扇状喷嘴,另一路的管路上设有高压泵,并在管路上安装有药液阀;工艺处理腔体与回收桶连通,工艺处理腔体中的化学液通过回收桶回收,并通过化学液泵泵入第二供液桶内;第二供液桶通过管路与高压泵的输入端相连通,并在管路上安装控制管路开关的药液阀。本发明实现了化学液的无间断供应,无需人工干预;供给装置结构简单紧凑,占地面积小。 | ||
搜索关键词: | 一种 化学 供给 装置 及其 方法 | ||
【主权项】:
一种化学液供给装置,其特征在于:包括原料桶(7)、第一供液桶(9)、第二供液桶(24)、回收桶(25)、真空发生器(2)、高压泵(14)、化学液泵(28)、工艺处理腔体(29)、电磁阀及药液阀,其中第一供液桶(9)及第二供液桶(24)分别连通由电磁阀控制开关的供气源,所述第一供液桶(9)还连通由电磁阀控制开关的真空发生器(2),所述原料桶(7)与该第一供液桶(9)相连通,并在原料桶(7)与第一供液桶(9)之间的管路上设有控制管路开关的药液阀;所述第一供液桶(9)输出的化学液一路连通由药液阀控制开关的浸泡单元,另一路连通向工艺处理腔体(29)内晶圆喷洒化学液的扇状喷嘴(31),所述另一路的管路上设有高压泵(14),并在管路上安装有控制管路开关的药液阀;所述工艺处理腔体(29)通过管路与回收桶(25)连通,工艺处理腔体(29)中的化学液通过所述回收桶(25)回收;所述回收桶(25)通过管路与第二供液桶(24)连通,并在该管路上分别设有化学液泵(28)及控制管路开关的药液阀,所述回收桶(25)内回收的化学液通过化学液泵(28)泵入第二供液桶(24)内;所述第二供液桶(24)通过管路与高压泵(14)的输入端相连通,并在管路上安装控制管路开关的药液阀,所述第二供液桶(24)内回收的化学液通过高压泵(14)、扇状喷嘴(31)向晶圆喷洒的同时,由第一供液桶(9)输出化学液的所述另一路管路关闭。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于沈阳芯源微电子设备有限公司,未经沈阳芯源微电子设备有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410143807.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:整体式PSS刻蚀托盘治具
- 下一篇:一种铜的混合键合方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造