[发明专利]用于借助同时双面抛光来抛光半导体晶片的方法有效

专利信息
申请号: 201410144265.9 申请日: 2014-04-11
公开(公告)号: CN104097134B 公开(公告)日: 2017-05-17
发明(设计)人: R·鲍曼;J·施陶德哈默;A·海尔迈尔;L·米斯图尔;K·勒特格 申请(专利权)人: 硅电子股份公司
主分类号: B24B29/02 分类号: B24B29/02;H01L21/304
代理公司: 永新专利商标代理有限公司72002 代理人: 周家新,蔡胜利
地址: 德国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及一种用于在抛光装置的下和上抛光垫之间的间隙中借助于同时双面抛光来抛光半导体晶片的方法。该方法包括用修整工具对一个或全部两个抛光垫进行修整和在修整后在间隙中抛光半导体晶片;在修整过程中,修整工具和与待修整的抛光垫相对的抛光垫之间在该抛光垫的内边缘处的距离与在该抛光垫的外边缘处的相应的距离不同。
搜索关键词: 用于 借助 同时 双面 抛光 半导体 晶片 方法
【主权项】:
一种用于抛光半导体晶片的方法,该方法在抛光装置的下和上抛光垫之间的间隙中在提供抛光剂的同时借助于同时双面抛光来进行,所述下抛光垫覆盖下抛光板,所述上抛光垫覆盖上抛光板,且所述抛光板和所述抛光垫具有内边缘和外边缘,该方法包括:用修整工具对上抛光垫和下抛光垫中的至少一个进行修整,覆盖有待修整的抛光垫的抛光板进行旋转,且修整工具以如下方式安装在间隙中:修整工具从待修整的抛光垫的内边缘延伸至外边缘,其中,在修整过程中,修整工具和与待修整的抛光垫相对的抛光垫之间在该抛光垫的内边缘处的距离与在该抛光垫的外边缘处的相应的距离不同;和在修整后在间隙中同时双面抛光半导体晶片。
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