[发明专利]一种减少界面层厚度的铜/铝复合带制备方法无效
申请号: | 201410145098.X | 申请日: | 2014-04-11 |
公开(公告)号: | CN103934266A | 公开(公告)日: | 2014-07-23 |
发明(设计)人: | 王平;龚潇雨;王泽宇;苗龙;李保绵 | 申请(专利权)人: | 东北大学 |
主分类号: | B21B1/30 | 分类号: | B21B1/30;B21B3/00 |
代理公司: | 沈阳东大知识产权代理有限公司 21109 | 代理人: | 梁焱 |
地址: | 110819 辽宁*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 一种减少界面层厚度的铜/铝复合带制备方法,属于材料技术领域,按以下步骤进行:(1)采用软状态的T2紫铜带为铜原料;采用硅质量百分含量3.25~8.89%的软状态的铝硅合金带为硅铝合金原料;铜原料与硅铝合金原料的厚度比为1:1;(2)进行表面处理;(3)进行轧制复合制成轧制复合带;(4)进行扩散热处理,在惰性气体保护条件下,升温到200~400℃,保温0.5~2h,随炉冷却至室温;(5)进行精轧,总压下率为33.3~80%,获得精轧复合带;(6)进行连续退火,空冷至室温。本发明的方法能够在保证节约50%铜材的情况下,得到尺寸精度高、复合界面尺寸小、结合牢固、表面质量好的铜/铝复合带。 | ||
搜索关键词: | 一种 减少 界面 厚度 复合 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种减少界面层厚度的铜/铝复合带制备方法,其特征在于按以下步骤进行:(1)采用软状态的T2紫铜带为铜原料;采用硅质量百分含量3.25~8.89%的软状态的铝硅合金带为硅铝合金原料;铜原料与硅铝合金原料的厚度比为1:1;(2)将铜原料与硅铝合金原料分别进行表面处理;(3)将完成表面处理的铜原料与硅铝合金原料进行轧制复合,轧制复合的压下率控制在65~75%,制成轧制复合带;(4)将轧制复合带在惰性气体保护条件下,以8~15℃/s的升温速度升到200~400℃,保温0.5~2h,然后随炉冷却至室温,完成扩散退火;(5)将完成扩散退火的轧制复合带进行精轧,精轧总压下率为33.3~80%,获得厚度在0.1~2mm的精轧复合带;(6)将精轧复合带进行连续退火,连续退火温度为500±10℃,时间为5~10min,连续退火结束后空冷至室温,制成复合界面层平均厚度在0.5~1.6μm的铜/铝复合带。
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