[发明专利]薄膜厚度的控制方法以及半导体加工设备在审
| 申请号： | 201410145928.9 | 申请日： | 2014-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN104979228A | 公开（公告）日： | 2015-10-14 |
| 发明（设计）人： | 边国栋 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供的薄膜厚度的控制方法以及半导体加工设备，其包括以下步骤：S1，将完成薄膜沉积工艺的被加工工件在其后续的传输路径上暂停，并检测该被加工工件的薄膜厚度；S2，计算检测到的薄膜厚度与预设的目标厚度的差值，并根据该差值调整对下一个被加工工件进行薄膜沉积工艺的工艺配方，以使下一个被加工工件的薄膜厚度达到预设的目标厚度。本发明提供的薄膜厚度的控制方法，其可以在线检测薄膜厚度，从而不仅可以在薄膜厚度未达到工艺要求时及时地调整工艺配方，以使各个被加工工件的薄膜厚度均能够满足工艺要求，而且还可以降低人力和使用成本、提高设备的使用效率。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 厚度 控制 方法 以及 半导体 加工 设备 | ||
【主权项】：
一种薄膜厚度的控制方法，其特征在于，包括以下步骤：S1，将完成薄膜沉积工艺的被加工工件在其后续的传输路径上暂停，并检测该被加工工件的薄膜厚度；S2，计算检测到的薄膜厚度与预设的目标厚度的差值，并根据该差值调整对下一个被加工工件进行薄膜沉积工艺的工艺配方，以使下一个被加工工件的薄膜厚度达到预设的目标厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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